为加快引导和推动我国物联网产业发展，根据有关工作部署，2012年我委将组织实施物联网技术研发及产业化专项。现就有关事项通知如下：
一、专项目标
结合国民经济和社会发展的重大需求，以重点领域的物联网应用示范为依托，着力突破制约我国物联网发展的关键核心技术，为物联网规模化发展提供有效的产业支撑；制定基础共性技术标准，完善物联网标准体系，着力解决我国物联网应用的互联互通问题；依托已有基础，建设公共服务平台，着力解决检测认证和标识管理问题；加强产业自主创新能力建设，着力培育发展一批物联网技术研发和产品设备制造优势企业。
二、支持重点和要求
重点依托交通、公共安全、农业、林业、环保、家居、医疗、工业生产、电力、物流等10个领域我委已启动的国家物联网应用示范工程，统筹推进物联网关键技术研发及产业化、标准体系和公共服务平台建设，着力突破核心关键技术，完善产业链，为重点领域物联网应用示范提供有效支撑。
（一）关键技术研发及产业化
1、低成本、低功耗、微型化、高可靠性智能传感终端。
一是专用及多用途感知设备，如：集成加速度/温湿度/光感等传感技术、RFID技术及定位技术的智能终端；基于环保监测、森林资源安全监管、油气供应、粮食储运监管、电网管理、食品质量安全监控等物联网应用、并支持多种通信传输方式（如TD-SCDMA等第三代移动通信技术）的远程监控智能终端等。
二是传感器件，如：精度在±0.02%以内的低成本压力/应力光电传感器、高灵敏度GMR/TMR磁性传感器、CCD/CMOS图像传感器、精度在±0.2℃以内的数字温度传感器、精度在±3%以内的数字湿度传感器、快速响应电化学气体传感器等通用传感器，以及粉尘传感器、PM2.5细粒子传感器、磷化氢传感器、烟雾传感器等基于自主核心技术的专用传感器。
三是用于传感器/传感终端的专用芯片，如：基于CMOS工艺、支持多协议处理单元、接收灵敏度优于 -70dBm且输出功率大于23dBm的超高频RFID读写设备芯片；基于CMOS工艺、激活灵敏度优于-14dBm、存储器不小于2Kb且芯片面积不大于0.25mm2的超高频RFID标签芯片；基于CMOS工艺、接收灵敏度优于 -100dBm、输出功率在-10～3dBm范围、最大功耗为25mA且支持消耗电流小于5µA的低功耗监听模式的微波频段RFID标签/读写器芯片；基于CMOS工艺的压力/加速度/陀螺仪微机电系统专用芯片等。
2、智能仪表。集传感器、微处理器、智能控制和通信技术为一体的智能化、网络化仪器仪表等。
3、网络传输设备。物物通信技术和传感器网络通信产品，如：自组织通信网络、无线传感网设备，基于TD-SCDMA技术的M2M通信模块等。
4、信息处理产品。物联网海量信息分析与处理、分布式文件系统、实时数据库、智能视频图像处理、大规模并行计算、数据挖掘、可视化数据展现、智能决策控制以及基于物联网感知层与传感层间数据接入中间件（包括物联网传感节点标识定位、底层解析软件）等。
（二）基础共性技术标准研究制定
重点支持物联网应用示范亟需的基础共性技术国家标准的研究制定，包括：标识与解析、智能传感器接口、中间件、信息安全、测试方法等。
（三）公共服务平台建设
1、检测认证公共服务平台。以现有第三方评测服务实验室（平台）为基础，整合相关优势资源，构建涵盖物联网标准与知识产权信息查询、标准符合性验证，及物联网智能传感终端、智能仪表等产品检测与认证、解决方案测评等功能的物联网公共服务平台。
2、标识管理公共服务平台。以提高物联网标识管理和规划能力，促进物联网应用跨行业、跨平台、规模化发展为目的，研究提出物联网标识管理体系，进一步加强物联网标识管理与服务系统建设，建立物联网统一标识管理和公共服务平台。


来源：中华人民共和国国家发展和改革委员会
发文机关：国家发展改革委办公厅
发文字号：发改办高技[2012]1203号
发文日期：2012年5月15日
详情：《国家发展改革委办公厅关于组织实施2012年物联网技术研发及产业化专项的通知》